新一代智能電表對成本和性能提出了更高的要求。而PCM(相變存儲器)作為新一代存儲器，對智能電表存儲架構進行統(tǒng)一整合，優(yōu)化了電表成本和性能。2010年5月7日，美光(Micron)宣布并購恒憶。合并后，兩大存儲器芯片廠商將為客戶提供業(yè)內最完整、最具創(chuàng)新性的產品組合，其中包括PCM產品。
PCM綜合性能高
PCM是利用特殊材料在加熱和冷卻過程中，通過晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉化所表現(xiàn)出來的導電性差異來存儲數(shù)據(jù)。
據(jù)美光亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務總經理徐宏來先生介紹，PCM的概念其實早在上世紀60年代就被提出。隨著DRAM、NAND、NOR等主流存儲器的工藝技術逐步逼近它們的極限尺寸，基于分子材料的PCM存儲器開始獲得業(yè)界的關注。今年4月，美光率先在市場上推出相變存儲器OmneoP5Q和OmneoP8P。與其他存儲器相比，PCM有幾大突出優(yōu)勢：
制造工藝升級空間大。理論上估計，PCM可以做到5nm量級，小于電子存儲技術的極限值。
具備位修改特性。PCM大大簡化了存儲過程中的寫操作過程，提升了寫的速度。而 NAND和NOR不具備位修改特性。
耐擦寫次數(shù)高。PCM達到100萬次，是一般閃存的10倍。
與其他存儲器相比，PCM的綜合性能非常高。
優(yōu)化電表成本和可靠性
PCM存儲器的優(yōu)勢可以表現(xiàn)在智能電表設計中。在智能電表的設計中，基于對寫入次數(shù)、可靠性和成本的考慮，主要是采用3類獨立的存儲器件。具體來說，主要是MCU通過SPI串行接口或者并行接口使用NVRAM(非易失性隨機訪問存儲器)來記錄實時信息，EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)和Flash(閃存)記錄歷史數(shù)據(jù)。該存儲方案是對成本和可靠性綜合考慮后的折中方案。“PCM由于具有先進的工藝(目前PCM是90nm，EEPROM一般采用200nm～300nm)、高可擦寫次數(shù)、位改寫以及快速接口(CLK頻率66MHz)的優(yōu)勢，因而可以對目前的電表存儲架構進行統(tǒng)一整合。”徐宏來先生介紹說，“也就是說，智能電表只使用一顆PCM芯片P5Q就可以滿足目前存儲方案的要求。”另外，其較大的容量也為電表未來存儲更多數(shù)據(jù)提供保障。
成本降低和設計簡化是PCM給電表工業(yè)帶來的最大益處之一。通過對目前電表存儲器進行整合，由一顆PCM芯片完成所有的存儲功能，芯片成本可以降低30%～50%，設計得到簡化；同時，相關隱性成本的降低，如PCB上SPI接口數(shù)量的減少(3個到1個)，斷電保護電容或電池可以選擇較小容值的產品，這些也使電表整體成本下降。而且，PCM的單芯片方案不需要采購多種芯片，可以減少庫存和現(xiàn)金的占用。
在可靠性方面，PCM作為一種整合方案，其可靠性要高于采用多種存儲器件的方案。徐宏來先生介紹說，PCM主要從以下兩個方面來降低設計風險：一是提供業(yè)界標準的SPI接口，使客戶在設計中可以利用原有的軟硬件資源，如電路板設計、軟件驅動等；二是對PCM器件進行系列高標準的可靠性試驗，從而保證美光產品滿足客戶的多種使用要求。
在溫度應用范圍方面，由于PCM基于熱相變材料，對溫度有一定的敏感性。這對PCM的影響主要體現(xiàn)在回流焊階段。由于回流焊的溫度在200℃以上，會對PCM中存儲的數(shù)據(jù)造成影響。這對需要預先燒錄存儲器件的產品應用影響較大。但在電表領域，由于很少在存儲器件中預存大量的數(shù)據(jù)，因此基本沒有影響。當然，未來隨著工藝的改進，相信PCM的操作環(huán)境溫度可以擴展到-45℃～80℃，這將與傳統(tǒng)的存儲器一樣。
目前，美光提供的SPI接口產品在各個方面都可以滿足MCU接口的要求，并在接口速度等方面超過了目前的其他存儲器件。美光正在與MCU廠商和主要的電表設計公司合作，不斷改進其解決方案。
保障持續(xù)研發(fā)能力
美光目前提供量產的芯片包括90nm的并行接口和SPI接口的芯片，這些產品的容量均為128MB。而且，美光強大的產能和供應鏈也為電表應用提供了保障。未來，美光會繼續(xù)提供采用45nm工藝、兼容SPI和并行接口的PCM產品，并研發(fā)采用新型接口如DDR接口的產品，以滿足存儲市場的需求。
智能電表行業(yè)要求未來存儲器成本持續(xù)降低、存儲容量系列化以及更高的性能(如更高的寫入速度和更低的功耗等)。而美光通過45nm以及后續(xù)更先進的制造工藝，將提供32MB～256MB的系列容量和更低成本的PCM方案。同時，隨著工藝成本的降低，PCM寫入速度和功耗等參數(shù)也會大幅優(yōu)化。
