上海先進是我國改革開放后首家引進國際先進技術的大規模集成電路制造企業之一，經過二十多年來的引進、消化、吸收國外先進的半導體制造技術，逐漸形成電源管理、功率器件為特色的技術工藝平臺，特別是在汽車電子、IGBT、TVS等特定的領域處于國內領先地位。上海先進從2004年開始制造IGBT晶圓，至今累計為國內外客戶制造IGBT晶圓數量超過80萬片，具備完整的IGBT制造工藝能力。
隨著國民經濟的迅速發展，能源緊張、資源與消費分布不均衡，環境污染等問題的也隨著顯現，需要發展高效、綠色的輸變電技術，如柔直輸電、新能源并網、電力電子裝置等技術。同時針對未來智能電網對電力裝置更大容量、更低損耗、更小的發熱量要求，需要研發更高電壓、更大容量、更高結溫的全控型電力電子器件，其核心器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片,目前被國外少數公司擁有和壟斷。國家電網智能電網研究院為國家電網實現更安全、更經濟、更清潔、可持續的電力供應的基本使命提供技術保障，是國內領先、國際一流的電工裝備研究院，承擔著智能電網用IGBT的研究開發運用的重任。此次與國家電網簽署戰略合作協議，是上海先進在聯合中國和世界最大的新能源汽車制造商“比亞迪”率先實現新能源汽車用IGBT產品市場化、與中國和世界最大的軌道交通設備制造商“中國中車”共同研發成功完全自主知識產權高壓大電流軌道機車用IGBT后，從國家基礎建設層面對上海先進IGBT晶圓制造工藝技術給予的高度肯定。
國網智研院黨組書記、邱宇峰副院長主持了簽約儀式，國網智研院黨組副書記、滕樂天院長、上海先進陳建明董事長、陸寧董事出席了簽約儀式，電力電子所書記兼副所長潘艷與上海先進主持全面工作的周衛平副總裁代表各自單位簽署了戰略合作協議。
據悉，上海先進在高壓大電流IGBT晶圓制造領域擁有國內領先的工藝技術，國網智研院在IGBT芯片設計、壓接式封裝、裝置應用方面有著豐富經驗，雙方合作將為完善的產業鏈，有望填補電網用高壓大電流IGBT芯片與模塊產品國產化空白，存在著巨大的市場需求，具有重要的經濟性和戰略性意義。
在此之前，上海先進與國網智研院已開始了密切合作，先后啟動了1200V、1700V、3300V、4500V IGBT等項目的研發，對智能電網用壓接式特殊工藝、聚亞酰胺等關鍵工藝技術進行攻關，特別在2015年3300V IGBT項目取得重要進展，在安全工作區等動態性能關鍵指標上取得重要突破。雙方計劃在北京冬奧會“張北示范工程”項目中首次應用具有完全自主知識產權的智能電網用3300V IGBT。
上海先進與國網智研院通過簽署戰略合作協議的簽署，是雙方加強合作的重要里程碑，將推動雙方合作邁上新的臺階，將原有的友好合作更密切、更有效、更具體地進一步推進。在戰略合作協議的指引下，雙方將逐步整合完善產業鏈，深化各環節的研發，落實技術瓶頸的突破，加快實際產品的產出時間，從而在市場中爭取有利地位。雙方充分利用各自的優勢，將具有自主知識產權的IGBT核心關鍵技術和半導體芯片制造技術進行“強強聯合”，共同推進IGBT設計與芯片制造進程，突破國外的技術壟斷，加速實現智能電網用IGBT芯片國產化進程。 來源：中證網
